Marktgrößen-, Anteils- und Trendanalysebericht für Verbindungshalbleiter nach Produkt (Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid (GaN), Siliziumkarbid (SiC), andere), nach Anwendungen (elektronische Komponenten, photonische Geräte, optoelektronische Geräte, integrierte Schaltkreise), nach Endverwendung, nach Region und Segmentprognosen – 2035