Galliumnitrid (Gan) und Siliziumkarbid (Sic) Leistungshalbleiter Marktgröße, Anteil, Wachstum und Branchenanalyse, nach Typ (Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter, Galliumnitrid-Leistungshalbleiter), nach Anwendung (Unterhaltungselektronik, neue Energienetzverbindung, Schiene, Industriemotor, USV-Stromversorgung, neue Energiefahrzeuge, Sonstiges) und regionale Prognose bis 2035

GALLIUMNITRID (GAN) UND SILIZIUMCARBID (SIC) LEISTUNGSHALBLEITER – MARKTBERICHT ÜBERBLICK

Die globale Marktgröße für Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid (Gan) und Siliziumkarbid (Sic) wird im Jahr 2026 auf 2528,63 Mio.

Der Markt für Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid (Gan) und Siliziumkarbid (Sic) wächst aufgrund der wachsenden Nachfrage nach energieeffizienter Leistungselektronik rasant. GaN- und SiC-Halbleiter bieten überlegene QualitätLeistunggegenüber herkömmlichen Geräten auf Siliziumbasis und bietet eine bessere Gesamtleistung, schnellere Schaltgeschwindigkeiten und eine höhere Festigkeitsdichte. Diese Vorteile werden in Branchen wie Elektromotoren (EVs), erneuerbare Energien, Telekommunikation und Kundenelektronik übernommen. Der Markt wird auch durch behördliche Initiativen zum Verkauf unerfahrener Technologie und den Bedarf an fortschrittlichen Stromlösungen für Hochspannungsanwendungen vorangetrieben. Die Ausweitung der Pakete in der 5G-Infrastruktur und im Industriesektor steigert die Marktfähigkeit weiter.

• • 

    Kostenlose Probe herunterladen um mehr über diesen Bericht zu erfahren.

WICHTIGSTE ERKENNTNISSE

• Marktgröße und Wachstum:Die Marktgröße für Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid (Gan) und Siliziumkarbid (Sic) betrug im Jahr 2024 1377,23 Millionen US-Dollar, soll bis 2025 auf 1870 Millionen US-Dollar anwachsen und bis 2033 29373,78 Millionen US-Dollar überschreiten, mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 35,5 %.

• Wichtigster Markttreiber:Die steigende Nachfrage nach energieeffizienter Leistungselektronik in Elektrofahrzeugen und Systemen für erneuerbare Energien fördert die Akzeptanz, sodass der Verkauf von Elektrofahrzeugen im Jahr 2023 weltweit 10 Millionen Einheiten übersteigt.

• Große Marktbeschränkung:Hohe Herstellungskosten und komplexe Herstellungsprozesse schränken den breiten Einsatz ein, wobei GaN- und SiC-Wafer bis zu fünfmal mehr kosten als herkömmliche Siliziumwafer.

• Neue Trends:Die Integration von GaN und SiC in Schnellladegeräte und Industriewechselrichter nimmt zu, wobei zwischen 2022 und 2024 über 3.000 neue Hochspannungsanwendungen eingeführt werden.

• Regionale Führung:Nordamerika ist Marktführer und stellt im Jahr 2023 mehr als 35 % der weltweiten Einführung, angetrieben durch die frühe Einführung in Elektrofahrzeugen, Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigungsanwendungen.

• Wettbewerbslandschaft:Der Markt ist mäßig konzentriert und umfasst rund 30 Hauptakteure, darunter Wolfspeed, Infineon und STMicroelectronics, die durch Produktinnovationen und strategische Partnerschaften konkurrieren.

• Marktsegmentierung:GaN-Halbleiter dominieren das Segment bei Hochfrequenzanwendungen und machen rund 40 % aller Neuinstallationen in ausEVSchnellladegeräte und Rechenzentren im Jahr 2023.

• Aktuelle Entwicklung:Im Jahr 2023 kündigte Wolfspeed ein neues 650-V-SiC-Leistungsmodul für Elektrofahrzeuge an, das Energieverluste um 20 % reduziert und die Effizienz in Hochleistungsanwendungen steigert.

AUSWIRKUNGEN VON COVID-19

Die globale COVID-19-Pandemie war beispiellos und erschütternd, da der Markt im Vergleich zum Niveau vor der Pandemie in allen Regionen eine geringere Nachfrage als erwartet verzeichnete. Das plötzliche Marktwachstum, das sich im Anstieg der CAGR widerspiegelt, ist darauf zurückzuführen, dass das Marktwachstum und die Nachfrage wieder das Niveau vor der Pandemie erreichen.

Der aktuelle COVID-19-Ausbruch führte zu Unterbrechungen der Lieferkette, Verzögerungen bei der Herstellung und geringen industriellen Aktivitäten auf dem Markt für Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid (Gan) und Siliziumkarbid (Sic). Einschränkungen und Arbeitskräftemangel stoppten die Produktion und den Einsatz von Halbleitern, insbesondere im Automobilbau, in der Elektronik und in der Telekommunikation. Die Wirtschaftskrise führte auch zu verzögerten Investitionen in Infrastrukturprojekte, die das Marktwachstum verringerten. Trotz dieser Herausforderungen verzeichnete der Markt wieder einen funktionierenden Fortschritt, da neue Anforderungen an energieeffiziente Autos und verfügbare erneuerbare Energiequellen neue verzögerte Projekte für Elektroautos beschleunigten, um das neue Marktwachstum wiederzugewinnen.

NEUESTE TRENDS

"Nutzung der Edge-Computing-Integration zur Förderung des Marktwachstums"

Der neueste Trend auf dem Markt für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter ist die zunehmende Nutzung in Elektrofahrzeugen (EVs) und Ladestationen. Aufgrund der extrem hohen Effizienz und Temperaturtoleranz von Galliumnitrid- und Siliziumkarbid-Halbleitern ersetzen Cree-Siliziumkarbid-Halbleiter Silizium zum Antrieb von Antriebssträngen, Wechselrichtern und Bordladegeräten für Elektrofahrzeuge. Erstens führt die Entwicklung von 5G-Netzwerken und Rechenzentren zu einer erhöhten Nachfrage nach diesen leistungsstarken Geräten. Hersteller arbeiten auch daran, erschwinglichere GaN- und SiC-Geräte auf den Markt zu bringen, was weitere neue Anwendungen in den Märkten Industrie, Automobil und Unterhaltungselektronik eröffnet.

• • 

    Kostenlose Probe herunterladen um mehr über diesen Bericht zu erfahren.

Markt für Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid (GAN) und Siliziumkarbid (SIC).SEGMENTIERUNG

Nach Typ

Je nach Typ kann der Markt in Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter und Galliumnitrid-Leistungshalbleiter eingeteilt werden.

• Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter: Der Markt für Galliumnitrid (Gan) und Siliziumkarbid (Sic)-Leistungshalbleiter kann in Siliziumkarbid (SiC)-Leistungshalbleiter unterteilt werden. SiC-Geräte sind für ihre hohe Leistung, Wärmeleitfähigkeit und Spannungsbeständigkeit bekannt und eignen sich daher ideal für Programme in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und industriellen Stromversorgungssystemen.
• Galliumnitrid-Leistungshalbleiter: Galliumnitrid (GaN)-Leistungshalbleiter zeichnen sich durch ihre übermäßige Elektronenmobilität, schnelle Schaltgeschwindigkeiten und gelegentliche Stromverluste aus. Aufgrund dieser Eigenschaften eignen sich GaN-Geräte für hochfrequente Anwendungen, einschließlich 5G-Telekommunikation, kabelloses Laden und hochwertige Verbraucherelektronik. Aufgrund ihrer Leistungsfähigkeit werden GaN-Halbleiter auch zunehmend in kompakten Leistungswandlern und Adaptern eingesetzt.

Auf Antrag

Basierend auf der Anwendung kann der Markt in Unterhaltungselektronik, neue Energienetzanbindung, Schiene, Industriemotoren, USV-Stromversorgung, neue Energiefahrzeuge und Sonstiges kategorisiert werden.

• Unterhaltungselektronik: Nach Anwendung haben wir den Markt für Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid (Gan) und Siliziumkarbid (Sic) in der Unterhaltungselektronik klassifiziert. In diesem Sektor werden GaN- oder SiC-Halbleiter nach und nach in hocheffizienten Netzteilen, Schaltnetzteilen, kompakten Netzteilen usw. eingesetzt. Seine Leistung ermöglicht die Produktion kleinerer, energiesparender Geräte wie Smartphones, Laptops und anderer Geräte auf dem Markt.
• Neue Energienetzanschlüsse: Der Markt kann in neue Energienetzanschlüsse unterteilt werden. GaN- und SiC-Halbleiter sind von entscheidender Bedeutung für eine effektive Leistungssteuerung und -umwandlung in erneuerbaren Energieanwendungen, zu denen Solar- und Windenergie gehören. Sie können die Effektivität und Zuverlässigkeit des Netzanschlusses erhöhen, was für die Anbindung dezentraler erneuerbarer Energieerzeugung an das Versorgungsnetz ohne nennenswerte Energieverluste von entscheidender Bedeutung ist.
• Schiene: Der Markt für Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid (Gan) und Siliziumkarbid (Sic) kann in Schienen unterteilt werden. GaN- und SiC-Halbleiter werden aufgrund ihrer hohen Leistungswerte, ihres Energiefaktors und ihrer relativ geringen Wärmeverluste häufig in Schienenverkehrssystemen eingesetzt. Diese Halbleiter ermöglichen den Betrieb leichterer, kompakterer und effizienterer Leistungselektronik in Traktionssystemen, Konvertern und Wechselrichtern von Schienenfahrzeugen mit verbesserter Effizienz und Zuverlässigkeit.
• Industriemotoren: Der Markt für Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid (Gan) und Siliziumkarbid (Sic) ist hinsichtlich der Anwendung in Industriemotoren unterteilt. Die GaN- und SiC-Halbleiter werden jetzt in industriellen Motorantrieben eingesetzt, um einen höheren Wirkungsgrad, schnelleres Schalten sowie geringere Energieverluste zu erzielen. Diese Vorteile führen zu kleineren, effizienteren Motorsteuerungen mit verbesserter Leistung, wodurch sie sich gut für schwere Geräte, Roboter und andere Formen der Automatisierung in industriellen Umgebungen eignen.
• USV-Stromversorgung: Der Markt für Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid (Gan) und Siliziumkarbid (Sic) ist in USV-Stromversorgung unterteilt. Mit hoher Effizienz, schnelleren Schaltfähigkeiten und weniger Platz drängen GaN-Halbleiter (Siliziumkarbid) in den Bereich der unterbrechungsfreien Stromversorgung (USV-Systeme). Diese Merkmale ermöglichen einen hohen Wirkungsgrad, der eine gleichmäßige und kontinuierliche Stromversorgung mit geringeren Energieverlusten für kleinere und damit effizientere Designs ermöglicht. GaN- und SiC-Halbleiter verbessern das Stromversorgungssystem in geschäftskritischen Anwendungen wie Rechenzentren für die Datenverarbeitung, Krankenhäusern, in denen wichtige Operationen oder Behandlungen durchgeführt werden, und Industriebetrieben, die eine kontinuierliche Aufrechterhaltung einer konsistenten Stromversorgung erfordern.
• Fahrzeuge mit neuer Energie: Der Markt für Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid (Gan) und Siliziumkarbid (Sic) kann in Fahrzeuge mit neuer Energie (NEV) eingeteilt werden. GaN- und SiC-Halbleiter sind aufgrund ihrer hohen Effizienz und thermischen Leistung neben Elektroautos (EVs) und Hybridmotoren von zentraler Bedeutung für NEVs. Sie verbessern das Energiemanagement in Traktionswechselrichtern, Bordladegeräten und Batteriesteuerungsstrukturen und tragen so zu einer verbesserten Energieleistung, schnellerem Laden und längeren Reichweiten bei. Diese Halbleiter tragen zur Gesamtleistung, Zuverlässigkeit und reduzierten Größe der in NEVs verwendeten Elektroelektronik bei.

FAHRFAKTOREN

"Wachsende Nachfrage nach energieeffizienten Stromversorgungslösungen in der Automobil- und Unterhaltungselektronik, um die Marktentwicklung voranzutreiben"

Die steigende Nachfrage nach energieeffizienten Stromlösungen ist ein Hauptantriebsfaktor für das Marktwachstum für Galliumnitrid (Gan) und Siliziumkarbid (Sic)-Leistungshalbleiter. Im Automobilbereich besteht insbesondere mit dem Aufkommen von Elektromotoren (EVs) ein Bedarf an leistungsstarken Stromwandlern und Wechselrichtern, um die Gesamtleistung der Batterie zu maximieren und die Fahrstufen zu erweitern. GaN- und SiC-Halbleiter mit ihrer fortschrittlichen Effizienz und ihren Wärmemanagementfähigkeiten sind für die Erfüllung dieser Anforderungen von entscheidender Bedeutung. In ähnlicher Weise tragen diese Halbleiter in der Verbraucherelektronik dazu bei, kleinere, effizientere Energiematerialien und Ladegeräte zu schaffen, da Geräte immer kompakter werden und die Energieaufnahme zu einem kritischen Problem wird. Ihre Fähigkeit, höhere Stromdichten und Schaltgeschwindigkeiten zu bewältigen, ermöglicht Fortschritte in der Auto- und Käuferelektronik und nutzt das Marktwachstum.

"Fortschritte bei erneuerbaren Energien und Smart-Grid-Technologien zur Erweiterung des Marktes"

Ein weiterer weit verbreiteter Treiber ist die Entwicklung erneuerbarer Energietechnologien und intelligenter Netzstrukturen. GaN- und SiC-Leistungshalbleiter sind entscheidend für die Verbesserung der Effizienz und Zuverlässigkeit der Stromumwandlung in erneuerbaren Energiestrukturen, einschließlich Solar- und Windenergie. Diese Halbleiter ermöglichen eine höhere Gesamtleistung in Wechselrichtern und Stromsteuerungsstrukturen und ermöglichen so eine effektivere Integration erneuerbarer Ressourcen in das Netz. Darüber hinaus profitiert die Verbesserung intelligenter Netze, die eine hochleistungsfähige Elektronik zur korrekten Steuerung und Verteilung der Energie erfordern, von der übermäßigen Gesamtleistung von GaN- und SiC-Geräten. Während die Begeisterung für umweltfreundlichere Energielösungen und intelligentere Netzinfrastrukturen zunimmt, wächst die Nachfrage nach diesen überlegenen Halbleitern weiter und treibt deren Akzeptanz und Marktexpansion voran.

EINHALTUNGSFAKTOR

"Die überhöhten Herstellungskosten stellen potenzielle Hindernisse für das Marktwachstum dar"

Ein wesentlicher hemmender Faktor auf dem Markt für Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid (Gan) und Siliziumkarbid (Sic) sind die überhöhten Herstellungskosten. Sowohl GaN- als auch SiC-Materialien sind im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumhalbleitern teurer, was ihre Verbreitung einschränken kann, insbesondere in preisempfindlichen Gehäusen. Darüber hinaus tragen die Komplexität der Herstellung und die Notwendigkeit spezieller Systeme zu den überhöhten Kosten bei. Dieses wirtschaftliche Hindernis kann einige Branchen davon abhalten, auf diese fortschrittlichen Substanzen umzusteigen, obwohl sie insgesamt Leistungsvorteile bieten. Das Marktwachstum kann auch durch eine begrenzte Auswahl an Anbietern und den Bedarf an umfangreicher Forschung und Verbesserung behindert werden.

• • 

    Kostenlose Probe herunterladenum mehr über diesen Bericht zu erfahren.

•  

Markt für Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid (GAN) und Siliziumkarbid (SIC).REGIONALE EINBLICKE

Der Markt ist hauptsächlich in Europa, Lateinamerika, den asiatisch-pazifischen Raum, Nordamerika sowie den Nahen Osten und Afrika unterteilt.

"Nordamerika wird den Markt aufgrund seiner Vorreiterrolle bei technologischer Innovation und Einführung dominieren"

Nordamerika ist bereit, eine dominierende Rolle im Marktanteil von Leistungshalbleitern aus Galliumnitrid (Gan) und Siliziumkarbid (Sic) zu spielen. Diese Dominanz wird durch große Investitionen in Technologie und Forschung vorangetrieben, insbesondere in den Vereinigten Staaten, die weltweit führend in der Halbleiterinnovation sind. Nordamerikas robuste Automobil- und Kundenelektronikindustrie sowie ein wachsendes Bewusstsein für erneuerbare Energien und clevere Netztechnologien steigern außerdem die Nachfrage nach GaN- und SiC-Halbleitern. Darüber hinaus tragen unterstützende staatliche Richtlinien und umfassende Investitionen in Studien und Entwicklung dazu bei, dass die Region Marktwachstum und technologischen Fortschritt erzielt.

WICHTIGSTE INDUSTRIE-AKTEURE

"Hauptakteure verändern die Marktlandschaft durch Innovation und globale Strategie"

Hauptakteure auf dem Markt für Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid (Gan) und Siliziumkarbid (Sic) forcieren Innovationen durch fortgeschrittene Studien und Entwicklungen, die zu einer verbesserten Leistung und Leistungsfähigkeit von Halbleiterbauelementen führen. Sie formen Markttrends, legen Unternehmensstandards fest und erweitern Pakete in den Bereichen Automobil, Kundenelektronik und erneuerbare Energien.

Liste der profilierten Marktteilnehmer

• Infineon (Deutschland)
• CREE (Wolfspeed) (USA)
• Roma Semiconductor Group (Taiwan)

INDUSTRIELLE ENTWICKLUNG

April 2024: Wolfspeed kündigt die Erweiterung der Anlage in Marcy, New York an. Die Anlage ist eine bedeutende Investition, um die steigende Nachfrage nach Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern zu decken, insbesondere in Elektrofahrzeugen (EV), erneuerbaren Energiesystemen und zahlreichen industriellen Anwendungen. Das Unternehmen hat diese Kapazitätserweiterung als Teil seiner umfassenderen Strategie zur Verbesserung des Produktionsspektrums und zur Festigung seiner Marktführerschaft etabliert.

BERICHTSBEREICH

Dieser Bericht basiert auf historischen Analysen und Prognoseberechnungen, die den Lesern helfen sollen, ein umfassendes Verständnis des globalen Marktes für Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid (Gan) und Siliziumkarbid (Sic) aus mehreren Blickwinkeln zu erlangen, was auch eine ausreichende Unterstützung für die Strategie und Entscheidungsfindung der Leser bietet. Darüber hinaus umfasst diese Studie eine umfassende SWOT-Analyse und liefert Erkenntnisse für zukünftige Entwicklungen auf dem Markt. Es untersucht verschiedene Faktoren, die zum Wachstum des Marktes beitragen, indem es die dynamischen Kategorien und potenziellen Innovationsbereiche ermittelt, deren Anwendungen die Entwicklung des Marktes in den kommenden Jahren beeinflussen könnten. Diese Analyse berücksichtigt sowohl aktuelle Trends als auch historische Wendepunkte, um ein ganzheitliches Verständnis der Wettbewerber auf dem Markt zu ermöglichen und geeignete Wachstumsbereiche zu identifizieren. Dieser Forschungsbericht untersucht die Segmentierung des Marktes mithilfe quantitativer und qualitativer Methoden, um eine gründliche Analyse bereitzustellen, die auch den Einfluss strategischer und finanzieller Perspektiven auf den Markt bewertet. Darüber hinaus berücksichtigen die regionalen Bewertungen des Berichts die vorherrschenden Angebots- und Nachfragekräfte, die das Marktwachstum beeinflussen. Die Wettbewerbslandschaft wird sorgfältig detailliert beschrieben, einschließlich der Anteile wichtiger Marktkonkurrenten. Der Bericht umfasst unkonventionelle Forschungstechniken, Methoden und Schlüsselstrategien, die auf den erwarteten Zeitrahmen zugeschnitten sind. Insgesamt bietet es professionell und verständlich wertvolle und umfassende Einblicke in die Marktdynamik.