这是一份有关以下内容的报告：NAND 闪存和 DRAM 市场规模、份额和趋势分析报告（按产品（NAND 闪存和 DRAM）、按应用（智能手机、PC、SSD、数字电视等）、按最终用途、按地区和细分市场预测 - 2035 年）

NAND闪存和DRAM市场概览

2025年nand闪存和DRAM市场规模为17596106万美元，预计将从2026年的19156881万美元增长到2035年的24720057万美元，在预测期内（2026-2035年）复合年增长率为8.87%。

随着人工智能、云计算、高性能计算和数据密集型消费设备提高存储密度要求，NAND 闪存和 DRAM 市场正在经历重大结构转型。高带宽架构、DDR5 的采用和每台服务器内存容量的增加正在重塑 DRAM 需求，而 NAND 闪存则受益于企业 SSD 部署和更高容量的存储。在供应大幅收紧后，2026 年第一季度传统 DRAM 合同价格环比上涨约 90-95%，而 NAND 闪存价格因供应商优先考虑高性能应用的产能而大幅上涨。 2025年，全球PC出货量将超过2.7亿台，年增长率约为9.1%，而全球智能手机出货量仍将保持在12亿台以上。这些卷创建了庞大的安装基础，每个设备需要数 GB 的 DRAM 和数十或数百 GB 的 NAND 存储。

美国是一个具有重要战略意义的需求中心，因为超大规模数据中心、人工智能基础设施、PC 替代品和先进企业存储共同消耗大量 DRAM 和 NAND 闪存。 2025 年第一季度，美国 PC 出货量同比增长约 12.6%，达到约 1600 万台，而 AI PC 的采用速度也大幅加快。到 2025 年底，支持人工智能的 PC 约占全球 PC 出货量的 31%，预计到 2026 年将达到 55% 左右，这增加了对更高本地内存容量的需求。随着企业级 SSD 需求在 2025 年末急剧扩大，数据中心存储成为更强大的驱动力，排名前 5 的企业级 SSD 供应商在第四季度环比增长约 51.7%。因此，尽管大多数晶圆制造能力集中在亚洲，但美国对内存需求仍然至关重要。

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主要发现

• 主导产品类型:随着人工智能服务器、DDR5 的采用和高带宽计算增加了云、PC 和智能手机系统的内存容量需求，DRAM 预计将占据市场综合需求的约 54-57%。
• 领先应用:在企业存储扩展以及领先企业级 SSD 供应商在 2025 年末环比增长 51.7% 的支持下，SSD 预计将占应用需求的 30-33% 左右。
• 领先地区:由于韩国、日本和台湾拥有全球最大的几个 DRAM 和 NAND 制造工厂，亚太地区预计将占据约 68-72% 的生产相关市场活动。
• 增长最快的地区:随着超大规模人工智能数据中心加速采购大容量 DRAM 和企业 SSD 系统，预计北美短期内的年需求增长约为 11-13%。
• 技术趋势:高带宽 DRAM 正在重塑先进的内存设计，新的 HBM4 产品可提供超过 11 Gbps 的传输速率和超过每秒约 2.8 TB 的总带宽。
• 市场驱动力:AI PC 的采用正在增强每个系统的内存内容，预计到 2026 年，支持 AI 的 PC 数量将达到约 1.43 亿台，其份额预计将达到全球 PC 出货量的 55% 左右。
• 竞争格局:供应商集中度仍然很高，三星在 2026 年第一季度控制了全球 DRAM 活动的约 38.5%，并保持了 NAND 闪存活动的约 31.6%。
• 未来展望:随着超过 300 层架构进入商业生产，包括 2026 年以后面向超高容量 SSD 部署的 321 层 QLC 设计，NAND 闪存密度将继续增加。

最新趋势

NAND闪存和DRAM市场最重要的趋势是制造能力向人工智能基础设施的重新分配。高带宽 DRAM 正在接受不成比例的投资，因为下一代加速器需要极高的带宽和大型内存堆栈。三星采用第六代 10 纳米级 DRAM 技术于 2026 年 2 月进入商业 HBM4 生产，并实现了约 11.7 Gbps 的标准传输速率，配置可达 13 Gbps。美光还将 36GB 12 高 HBM4 推进到大批量生产，每引脚提供超过 11 Gbps 的速度和每秒超过 2.8 TB 的带宽，大约是上一代 HBM3E 带宽的 2.3 倍。这些改进表明 DRAM 如何从商品组件转变为人工智能计算的关键系统级瓶颈，从而提高了先进封装、堆叠内存和能源效率的战略价值。

NAND 闪存同时向更高层数和更高位密度发展，以满足企业存储需求。 SK 海力士于 2025 年 8 月开始量产 321 层 2Tb QLC NAND 产品，代表业界首批超过 300 层的 QLC 架构商业实施之一。随着人工智能推理工作负载产生更大的数据集，而传统硬盘驱动器的短缺迫使云运营商转向闪存存储，企业 SSD 需求急剧加速。 2025 年第四季度，排名前 5 名的企业级 SSD 供应商的综合活动环比增长约 51.7%，而 NAND 闪存供应商的总活动增长约 23.8%。 QLC 变得越来越重要，因为每个单元存储 4 位可提高有效容量，并支持用于 AI 数据集、内容存储库和矢量数据库的极高密度 SSD。

市场动态

司机

""人工智能正在迅速提高内存带宽和存储密度要求。""

人工智能计算已成为最强大的结构驱动因素，因为现代训练和推理工作负载比传统企业计算需要更多的内存带宽。高带宽内存产品现在在领先的 HBM4 实现中提供每秒超过 2.8 TB 的带宽，而高级配置则使用 12 个或更多垂直堆叠的 DRAM 层。与传统计算系统相比，这些架构为每个加速器和每个服务器创建了显着更多的内存内容。随着云服务提供商增加大容量模块的采购，这种影响已经蔓延到传统服务器 DRAM。 2026年第一季度，DRAM行业总活动环比增长约81%，其中三星的全球DRAM份额达到约38.5%，SK海力士约占28.8%，美光约占22.4%。这种集中强调了人工智能驱动的订单可以多快地收紧可用供应。

人工智能还通过个人电脑和智能手机影响消费者的记忆。预计 2025 年人工智能 PC 出货量约为 7780 万台，约占 PC 总出货量的 31%，而 2026 年预计出货量约为 1.43 亿台，约占全球 PC 市场的 55%。设备上的 AI 模型需要更大的 DRAM 配置和更高容量的 SSD 来本地存储模型、嵌入和用户生成的数据。随着高端设备采用生成式人工智能功能和更大的内存配置，智能手机也遵循类似的方向。尽管由于内存限制，2026 年第一季度全球智能手机出货量同比下降约 2.9% 至 2.938 亿部，但这种压力增强了 DRAM 和 NAND 可用性的战略重要性。

克制

""极端的价格周期和资本密集度限制了可预测的市场扩张。""

内存制造仍然是半导体行业资本最密集的领域之一，为产能扩张造成了巨大障碍。先进的 DRAM 节点和 300 层级 NAND 需要先进的光刻、沉积、蚀刻和过程控制设备，而新的制造设施可能需要数百亿美元的当地货币投资。例如，南亚科技已计划斥资约新台币 3,000 亿美元建设一座新制造设施，旨在支持未来 10 纳米级工艺，计划产能最终达到每月约 45,000 片晶圆。高额的固定成本使得供应商在增加产能时变得谨慎，因为供应过剩会导致价格迅速恶化。这种周期性可能会发生巨大变化:在供应大幅收紧后，传统 DRAM 合同价格预计将在 2026 年第一季度环比上涨约 90-95%。

设备的承受能力是另一个限制因素，因为内存价格上涨会影响智能手机、个人电脑、数字电视和其他硬件制造商。由于内存短缺和零部件价格上涨影响了生产计划和消费者定价，2026 年第一季度全球智能手机出货量同比下降约 2.9% 至 2.938 亿部。 PC 供应商还在预期的内存通胀之前建立了库存，尽管最终用户的潜在需求较弱，但仍有助于 2026 年第一季度出货量同比增长约 4%。这表明极端的内存定价会如何扭曲正常的购买模式。当 DRAM 和 NAND 成本上涨速度超过设备制造商的承受能力时，利润率较低的产品可能会出现规格降低、发布延迟或出货量下降的情况。

机会

""大容量企业级 SSD 创造了消费存储之外的重大增长机会。""

企业级 SSD 的采用是 NAND 闪存的最大机遇之一，因为人工智能系统会生成大量需要低延迟存储的训练、推理和缓存数据。 2025 年第四季度，前 5 名企业级 SSD 供应商的综合活动环比增长约 51.7%。SK Hynix 相关企业级 SSD 活动同期环比增长超过 75%，而美光的企业级 SSD 活动增长约 41.4%。 QLC 技术对于大容量驱动器变得特别有吸引力，因为在每个单元中存储 4 位可以降低每位成本，同时允许容量高于传统客户端 SSD 水平。因此，NAND 制造商将越来越多的工程资源投入到数据中心 SSD 控制器、固件、耐用性优化和 60TB 级或更大的存储配置上。

边缘计算和支持人工智能的消费硬件为 DRAM 提供了额外的机会。预计 2026 年 AI PC 的出货量将达到约 1.43 亿台，而 2025 年出货量约为 7780 万台。许多 AI 应用程序执行本地模型执行，从而增加了对更高 DRAM 容量和更快内存接口的要求。数字电视和其他应用也受益于边缘智能，语音处理、图像增强和推荐系统需要额外的内存。华邦一直在开发16纳米定制内存产品，其8Gb DDR4技术支持传输速率达到约3,600 Mbps。这些发展说明了超大规模计算之外的机会，特别是在嵌入式和工业系统需要更长的产品生命周期和专门的内存配置的情况下。

挑战

""平衡先进内存投资与传统产品可用性变得越来越困难。""

一个关键的挑战是制造能力从成熟的 DRAM 技术向 DDR5 和高带宽产品的迁移。大型供应商越来越优先考虑更高性能的设备，因为人工智能基础设施提供了更强劲的战略需求，这可能会减少成熟 DDR4 和低密度移动产品的可用产量。 2025 年第四季度，传统 DRAM 合同价格环比上涨约 45-50%，而传统 DRAM 和高带宽混合价格上涨约 50-55%。南亚和华邦等较小的供应商可以从现有产品的供应缺口中受益，但迁移到更新的工艺节点仍然需要大量投资。华邦的 16 纳米内存工艺在开发 8Gb 和 16Gb DDR4 产品后进入量产，表明即使 DDR5 得到采用，对成熟内存的持续需求。

供应链集中度带来了另一个挑战，因为大多数领先的 DRAM 和 NAND 制造能力都集中在韩国、日本、台湾和选定的亚洲制造集群。 2026 年第一季度，三星和 SK 海力士合计约占全球 DRAM 活动的 67.3%，而仅三星就约占 NAND 闪存活动的 31.6%。因此，影响少数制造基地的生产中断、出口限制、地缘政治紧张局势或公用事业中断可能会迅速影响全球定价。半导体制造商正在投资于地域多元化，但新的内存工厂通常需要数年时间进行建设、设备安装和产量提升，从而阻碍了对突然短缺的快速反应。

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细分分析

按类型

NAND闪存:NAND 闪存预计约占市场综合需求的 43-46%，对于 SSD、智能手机、PC、数字电视和其他应用中的非易失性存储仍然至关重要。技术开发的重点是增加垂直层数和提高每个电池的密度。 SK 海力士于 2025 年开始量产 321 层 2Tb QLC NAND，展示了超越 300 层结构的转变。 2026 年第一季度，三星保留了全球 NAND 供应商活动约 31.6%，而 SK 海力士相关业务约占 17.6%。企业级 SSD 采用率的提高正在改善产品组合，因为与传统消费级存储相比，大型数据中心需要更高的耐用性、更大的容量和更高的能效。

内存:DRAM is estimated to represent approximately 54-57% of combined market demand, supported by server memory, high-bandwidth memory, Smartphone memory and PC DDR5 adoption. Industry concentration is substantial, with Samsung holding approximately 38.5% share in the first quarter of 2026, SK Hynix approximately 28.8% and Micron around 22.4%. Performance is advancing rapidly as HBM4 architectures exceed 11 Gbps pin speeds and can deliver more than 2.8 TB per second of aggregate bandwidth.由于每个系统的内存容量不断增加，DRAM 需求对单位出货量增长的依赖也越来越小。 AI 服务器包含的 DRAM 可能比传统服务器多几倍，而 AI PC 越来越多地使用 16GB、32GB 或更大的配置。

按应用

手机:据估计，智能手机应用约占 NAND 闪存和 DRAM 总需求的 24-27%。预计 2025 年全球智能手机出货量将保持在 12.5 亿部附近，使移动设备成为销量最大的内存消耗产品类别之一。高端智能手机越来越多地使用 8GB、12GB 或更多 DRAM 以及 256GB 或以上的存储容量，而设备上的生成​​式 AI 则鼓励进一步提高规格。然而，供应紧张在 2026 年初影响了市场，第一季度全球智能手机出货量同比下降约 2.9%，至 2.938 亿部左右。因此，制造商正在平衡更高的内存容量和承受能力。

个人电脑:由于 Windows 更换周期、支持 AI 的硬件和 DDR5 的采用支持内存升级，PC 应用程序预计约占市场需求的 19-22%。 2025 年，全球 PC 出货量达到约 2.702 亿台，年增长率约为 9.1%。 2025 年，AI PC 约占市场的 31%，预计到 2026 年将占约 55%。这些系统越来越多地配备更大的 DRAM 配置和更快的 SSD，因为本地 AI 应用程序需要大量的模型存储和工作内存容量。 2026 年第一季度 PC 出货量达到约 6280 万台，尽管内存组件成本上涨，但同比增长约 4%。

固态硬盘:SSD估计约占市场需求的30-33%，并且正在成为NAND闪存最具战略意义的应用。随着人工智能推理和云基础设施增加存储吞吐量需求，企业 SSD 需求将在 2025 年加速增长。全球排名前 5 的企业级 SSD 供应商在 2025 年第四季度的综合环比增长约为 51.7%，而 SK Hynix 相关活动增长超过 75%。高容量 QLC 存储正在成为一个关键增长领域，因为每单元 4 位架构降低了每 TB 的物理 NAND 需求。企业客户越来越多地评估 30TB、60TB 和更高容量来取代部分传统旋转磁盘基础设施。

数字电视:由于智能电视采用了更大的操作系统、流媒体应用程序、先进的图像处理和人工智能功能，数字电视应用程序预计将占总内存需求的 7-9% 左右。现代数字电视平台通常需要 2GB 至 4GB 或更多 DRAM，以及从几 GB 到 32GB 或更高的嵌入式 NAND 存储。 Winbond 的 8Gb DDR4 产品采用 16 纳米工艺，专门针对电视和嵌入式电子产品等应用，支持高达约 3,600 Mbps 的数据速率。需求的周期性不如智能手机，但由于电视制造商在严格的组件成本目标下运营，因此价格仍然敏感。

其他的:其他预计占总需求的 12-15%，包括工业设备、网络硬件、汽车电子、边缘设备、嵌入式系统和专业计算。这些系统通常优先考虑可靠性和长生命周期可用性，而不是最大密度。华邦的 2025 年内存产品组合展示了这种多样性，汽车和工业应用约占其内存活动的 27%，通信约占 24%，计算机相关产品约占 20%。随着边缘人工智能的扩展，嵌入式设备越来越需要更大的 DRAM 容量和更快的 NAND 接口，即使单位体积仍然低于智能手机或 PC。

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区域展望

北美

北美是 NAND 闪存和 DRAM 最重要的消费地区之一，预计约占全球需求的 21-24%。超大规模计算、生成式人工智能、企业服务器和 PC 更新活动推动了增长。 2025年第一季度美国PC出货量达到约1600万台，同比增长约12.6%。该地区也是企业级 SSD 的主要客户，全球前 5 名供应商的活动在 2025 年第四季度环比增长了约 51.7%。大型云运营商正在同时扩大存储和服务器内存容量，增加每台已安装服务器的 NAND 和 DRAM 消耗量。

由于人工智能基础设施需要极高的内存容量，预计北美近期内存需求年增长率约为 11-13%。美光是一家总部位于美国的主要供应公司，在 2026 年第一季度占据全球 DRAM 活动的约 22.4%。英特尔在供应竞争中保持着历史性的重要地位，尽管其之前的 NAND 和 SSD 业务是通过价值约 90 亿美元的多阶段交易转移的，最后阶段计划于 2025 年左右完成。西部数据也于 2025 年 2 月完成了闪存业务的分离，改变了其直接参与 NAND 的做法，同时保留了在 NAND 领域的主要业务。数据存储基础设施。

欧洲

在汽车电子、工业自动化、数据中心、电信和 PC 消费的支持下，欧洲预计约占 NAND 闪存和 DRAM 需求的 10-12%。该地区领先的存储器晶圆制造商数量少于亚太地区，但仍然是嵌入式和特种存储器的重要终端用户市场。欧洲汽车和工业系统通常要求产品生命周期延长 5-10 年，这鼓励了对稳定 DDR4、特种 DRAM 和嵌入式 NAND 的需求，而不仅仅是最新的高密度技术。本地数据中心投资的增加正在逐渐增加对企业SSD和服务器DRAM的需求。

欧洲的内存需求也受益于具有人工智能功能的个人电脑更换和区域数字化。 2025 年，全球 PC 出货量增长约 9.1%，随着旧设备被更新的硬件取代，欧洲企业买家为更新周期做出了贡献。预计 2026 年，人工智能 PC 将占全球 PC 出货量的约 55%，这将增加 DRAM 容量需求并推广更快的基于 NAND 的 SSD。然而，欧洲内存消费仍然对定价敏感，因为传统 DRAM 合同价格在 2025-2026 年周期的部分时间段连续上涨超过 50%，给硬件制造商带来了成本压力。

亚太

亚太地区在 NAND 闪存和 DRAM 市场占据主导地位，预计约占生产相关活动的 68-72%。韩国拥有三星和 SK 海力士，日本拥有铠侠控股公司，而台湾则拥有南亚科技和华邦电子。 2026 年第一季度，三星约占全球 DRAM 活动的 38.5%，约占 NAND 闪存活动的 31.6%，而 SK 海力士约占 DRAM 的 28.8%，约占 NAND 相关活动的 17.6%。这种制造业集中度使该地区对供应、技术转型和全球合同定价具有决定性影响。

亚太地区还拥有一些全球最大的智能手机、个人电脑、固态硬盘和数字电视制造生态系统，创造了广泛的本地消费。该地区正在积极投资先进技术，包括 HBM4、321 层 QLC NAND、16 纳米 DRAM 和下一代制造设施。南亚科技规划的新制造综合体的最终目标是月产能约为 45,000 片晶圆，而华邦的 16 纳米 DRAM 技术正进入量产阶段，推出 8Gb 和 16Gb 产品。因此，即使北美和欧洲追求半导体供应链多元化，亚太地区预计仍将在 2035 年之前保持其制造领先地位。

拉美

据估计，拉丁美洲约占全球 NAND 闪存和 DRAM 需求的 3-4%，消费集中在智能手机、个人电脑、数字电视和电信设备。智能手机的普及是内存需求的主要催化剂，因为移动设备在巴西、墨西哥、阿根廷、哥伦比亚和其他国家的销量最大。入门级设备可能使用大约 4GB 至 8GB 的​​ DRAM 和 64GB 至 256GB 的 NAND 存储，而高级设备则需要更大的容量。随着企业硬件现代化，本地 PC 需求也在增加，尽管货币波动会影响更换周期。

该地区先进的内存制造有限，因此严重依赖来自亚太地区和北美的进口。这种依赖性增加了对全球定价周期的影响；由于供应紧张，预计 2026 年第一季度 NAND 价格将环比上涨约 85-90%。较高的内存成本可能会对价格敏感的拉丁美洲市场产生更大的影响，因为组件在入门级设备制造成本中占很大比例。然而，随着未来 5-10 年云服务、数字娱乐和企业存储使用量的增加，长期机会仍然具有吸引力。

中东和非洲

据估计，中东和非洲约占市场总需求的 2-3%，但随着云基础设施和消费电子产品普及率的提高，这一数字预计还会扩大。海湾经济体正在投资人工智能数据中心和数字基础设施，创造了对服务器 DRAM 和企业 SSD 的本地化需求，每个系统可能包含数十 TB 的 NAND 容量。非洲的需求仍然更集中在智能手机、个人电脑和数字电视上，在这些领域，价格实惠的内存配置非常重要。移动设备通常集成 4GB 至 12GB 的 DRAM，这使得智能手机出货量增长成为主要的区域内存指标。

由于国内存储器制造能力极小，该地区仍然高度依赖进口半导体。因此，当全球市场趋紧时，供应中断可能会增加采购交货时间和设备成本。 2026 年初，传统 DRAM 合同定价预计将环比上涨约 90-95%，而 NAND 定价预计将上涨约 85-90%。这种波动可能会延迟价格敏感市场的购买。在 2026 年至 2035 年期间，本地数据中心的发展和更广泛的 5G 采用预计将使大部分区域内存消耗转向高容量 SSD 和面向服务器的 DRAM 系统。

顶级 NAND 闪存和 DRAM 公司名单

• Samsung - (South Korea)
• Intel - (U.S.)
• Kioxia Holdings Corporation - (Japan)
• Nanya - (Taiwan)
• Micron - (U.S.)
• SK Hynix - (South Korea)
• Western Digital - (U.S.)
• Winbond - (Taiwan)

市场份额排名前 2 位的公司

三星:三星是供应竞争群体中的领先公司，在 2026 年第一季度保持全球 DRAM 活动约 38.5% 的份额。同期，该公司还以约 31.6% 的份额领先 NAND 闪存。其竞争地位得益于 DRAM、NAND、SSD 产品和先进内存封装的垂直整合。三星于 2026 年 2 月进入商业化 HBM4 量产，标准传输速度约为 11.7 Gbps，容量达到 13 Gbps。得益于对 DRAM 和 NAND 组件的内部访问，该公司在 2025 年底仍然是最大的企业级 SSD 供应商。

SK海力士:SK 海力士是供应竞争集团中的第二大公司，在 2026 年第一季度约占全球 DRAM 活动的 28.8%，在包括相关存储业务时约占 NAND 闪存活动的 17.6%。该公司在高带宽存储器领域建立了强大的竞争地位，同时拓展了高密度 NAND 业务。 2025年8月，专为超高容量企业SSD应用设计的321层2Tb QLC NAND产品进入量产。其 HBM、传统 DRAM 和高容量 SSD 技术的结合使其在人工智能基础设施的增长中占据有利地位。

投资分析

NAND闪存和DRAM市场的投资越来越集中在面向人工智能的存储器、先进工艺技术、垂直NAND扩展和制造能力上。 HBM4 产品现在每引脚超过约 11 Gbps，带宽每秒超过 2.8 TB，需要复杂的 DRAM 工艺和先进的封装。 NAND制造商同时迈向300层以上，321层QLC产品已进入量产。这些转变需要大量的资本支出，因为每一代都涉及新的沉积、蚀刻和过程控制要求。南亚科计划的制造投资约为新台币 3,000 亿元，最终目标为每月 45,000 片晶圆，这说明即使是规模较小的全球 DRAM 供应商也需要规模。

企业存储是另一个主要投资目标。由于人工智能推理、云计算和硬盘短缺加速了闪存的采用，排名前 5 名的企业级 SSD 供应商在 2025 年第四季度录得约 51.7% 的环比增长。投资者重点关注 QLC NAND、高容量 SSD 固件、PCIe 接口以及可支持 30TB、60TB 和更大存储配置的控制器架构。 DRAM 投资同样转向 DDR5 和高带宽产品。机会是巨大的，但供应纪律仍然很重要，因为当产量超过需求时，内存周期可能会迅速逆转。因此，公司正在将产能扩张与技术迁移结合起来，而不是仅仅追求晶圆增长。

新产品开发

DRAM 新产品开发的重点是带宽、容量和能源效率。三星于 2026 年 2 月开始大规模生产 HBM4，采用第六代 10 纳米级 DRAM 工艺和 4 纳米逻辑基础芯片，提供约 11.7 Gbps 标准传输性能和高达 13 Gbps 的能力。美光的 36GB 12 高 HBM4 已进入大批量生产，与上一代 HBM3E 相比，速度超过 11 Gbps，带宽超过 2.8 TB 每秒，能效提高了 20% 以上。美光还提供了 48GB 16 高配置的样品，与 36GB 12 高堆栈相比，容量增加了约 33%。这些发展展示了 DRAM 设计如何越来越多地与先进计算架构集成。

NAND 产品开发强调垂直扩展、QLC 密度和企业级 SSD 优化。 SK海力士于2025年8月开始量产321层2Tb QLC NAND器件，标志着向300层门槛迈出了重要一步。美光在 2025 年底基于其第九代 NAND 架构扩大了出货量，而华邦则推进了 24 纳米 NAND 生产以及 16 纳米定制 DRAM。华邦电子还于 2025 年 12 月推出了 8Gb DDR4 设备，数据传输速度约为 3,600 Mbps，适用于数字电视、服务器、网络、工业 PC 和嵌入式应用。这些发展说明了数据中心的极高密度 NAND 与针对长寿命边缘设备优化的专用内存之间的分歧。

近期五项进展

• 2026 年 2 月:三星采用第六代10纳米级DRAM技术开始商业化量产和出货HBM4，提供约11.7 Gbps的标准传输速度，产品能力高达13 Gbps。
• 2026 年第一季度:美光将其 36GB 12 高 HBM4 投入大批量生产，每引脚超过 11 Gbps，带宽每秒 2.8 TB，同时实现比 HBM3E 高 20% 以上的功效。
• 2025 年 12 月:华邦电子推出采用16纳米制程生产的8Gb DDR4 DRAM，支持高达约3,600Mbps的传输速度，面向数字电视、服务器、工业PC、网络和嵌入式系统。
• 2025 年 8 月:SK海力士开始量产321层2Tb QLC NAND闪存产品，突破300层门槛，瞄准用于人工智能基础设施的高密度企业级SSD系统。
• 2025 年 2 月:西部数据完成了将其闪存业务拆分为独立业务的计划，此前，在大约 1 个主要公司分拆后，西部数据进行了重组，将 NAND 相关活动从其持续的数据存储业务中分离出来。

报告范围

NAND闪存和DRAM市场报告涵盖了2026-2035年的预测期，以2025年为基准年，并评估了NAND​​闪存和DRAM的供应产品类型。 DRAM 预计约占总需求的 54-57%，而 NAND 闪存约占 43-46%。应用分析涵盖智能手机、PC、SSD、数字电视等，预计份额分别约为24-27%、19-22%、30-33%、7-9%和12-15%。该分析评估了供应周期、工艺节点转换、NAND 层扩展、DDR5 采用、高带宽内存、QLC 存储、企业 SSD 增长、人工智能基础设施以及每个电子设备不断变化的内存内容。

区域覆盖范围包括北美、欧洲、亚太地区、拉丁美洲以及中东和非洲，其中亚太地区估计约占生产相关活动的 68-72%。竞争分析包括所有 8 家供应商:三星、英特尔、铠侠控股公司、南亚、美光、SK 海力士、西部数据和华邦。目前的状况包括三星在 2026 年第一季度约占 38.5% 的 DRAM 份额、约 31.6% 的 NAND 份额、321 层商用 QLC NAND 技术、每秒超过 2.8 TB 的 HBM4 带宽以及预计 2026 年约 1.43 亿台 AI PC 出货量。该报告还评估了内存通胀、制造集中度、产能投资以及从以消费者为中心的需求向 AI 驱动的企业基础设施的转变。