本报告涉及：SiC 和 GaN 外延生长设备市场规模、份额、增长和行业分析，按类型（CVD、MOCVD 等）、按应用（SiC 外延、GaN 外延）以及到 2035 年的区域预测

SIC 和 GAN 外延生长设备市场报告概述

预计2026年全球SiC和GaN外延生长设备市场规模为114213万美元，预计到2035年将达到140702万美元，2026年至2035年复合年增长率为7.2%。

在电力电子、电动汽车、可再生能源和 5G 技术需求不断增长的推动下，SiC 和 GaN 外延生长设备市场正在快速增长。与标准硅相比，SiC 和 GaN 物质具有先进的效率、导热性和开关速度，使其最适合高性能应用。化学气相沉积 (CVD) 和分子束外延 (MBE) 等沉积技术的进步推动了市场的发展。主要参与者对提高晶圆质量、产量和可扩展性的认可。增加对半导体生产的投资以及政府对平稳电力的支持同样推动了市场的繁荣轨迹。

• • 

    下载免费样本 了解更多关于本报告的信息

主要发现

• 市场规模和增长：2024年SiC和GaN外延生长设备市场规模为9.9386亿美元，预计到2025年将增长至10.5371亿美元，到2033年将超过12.2436亿美元，复合年增长率为7.2%。

• 主要市场驱动因素：随着 2023 年电动汽车全球销量飙升至 1400 万辆，对 SiC 功率器件的需求激增，推动制造设施的外延工具采购量同比增长超过 28%。

• 主要市场限制：外延系统的高资本成本仍然是一个瓶颈；先进的 SiC 工具每台可能超过 300 万美元，限制了小型晶圆厂和代工厂的采用。

• 新兴趋势：垂直 GaN 外延正在引起人们的关注——仅 2023 年，全球就宣布了 30 多条试验线，旨在以紧凑的形式实现更高的功率密度。

• 区域领导：亚太地区继续保持领先地位，到 2023 年，其工具安装量将占全球的 62% 以上，这主要是由台湾、韩国和中国国家对下一代半导体晶圆厂的投资计划推动的。

• 竞争格局：目前主导该领域的公司不到 15 家，其中 Aixtron、Veeco 和 Tokyo Electron 提供了全球近 75% 的商用 SiC/GaN 外延工具。

• 市场细分：SiC细分市场占据更大份额，到2023年将占设备总需求的58%以上，特别是对于轨道交通和工业逆变器等高压应用。

• 最新进展：2023 年末，Aixtron 推出了新的 G10-SiC 平台，能够将晶圆产量提高一倍，同时减少 20% 的气体使用量——顶级代工厂已经对其进行了评估。

COVID-19 的影响

"俄乌战争期间全球供应链中断和原材料成本上升，SiC和GaN外延生长设备市场受到负面影响"

俄罗斯-乌克兰战争扰乱了全球供应链并导致原材料成本上升，对 SiC 和 GaN 外延生长设备市场产生了负面影响。半导体制造所必需的氖燃料等关键物质主要来自该地区，导致短缺和费用飙升。贸易限制和地缘政治紧张局势阻碍了跨境技术转让和投资。不稳定局势导致基础设施任务延迟，特别是电力和汽车等行业，这些行业是碳化硅和氮化镓技术的重要消费者。此外，欧洲市场内部的不确定性抑制了需求并减缓了优质半导体解决方案的采用，影响了市场增长。

最新趋势

"利用边缘计算集成推动市场增长"

电动汽车 (EV)、可再生能源系统和 5G 基础设施对节能半导体的需求推动了 SiC 和 GaN 外延生长设备市场的变革趋势。一个关键趋势是转向大晶圆尺寸以及 200mm 基板，以提高制造性能并降低费用。先进的化学气相沉积 (CVD) 策略正在针对均匀性和缺陷减少进行优化，确保获得更高一流的外延层。自动化和人工智能 (AI) 正在集成到设备中，以实现特定的方法控制和提高产量。可持续性越来越受到关注，制造商不断采用绿色程序来减少能耗和浪费。设备运营商和半导体代工厂之间的合作不断加强，以加速创新。此外，对本地化生产（尤其是在北美和亚洲）的大量投资正在解决地缘政治挑战并带来供应链中断，为未来几年市场的强劲增长做好准备。

• • 

    下载免费样本 了解更多关于本报告的信息

适用于 SIC 和 GaN 市场细分的外延生长设备

按类型

根据类型，市场可分为 CVD、MOCVD、其他。

• CVD：SiC和GaN市场的外延生长设备可分为化学气相沉积（CVD）系统。 CVD 因其提供超级均匀外延层的潜力而被广泛应用，这对先进半导体应用至关重要，包括强度电子、电动汽车和 5G 基础设施。

• MOCVD：SiC和GaN市场的外延生长设备可分为金属有机化学气相沉积（MOCVD）结构。 MOCVD 是一种备受青睐的生产高精度外延层的技术，对于光电子、电力设备和高频通信领域的高整体性能应用至关重要。

按申请

根据应用，市场可分为SiC外延、GaN外延。

• SiC外延：用于SiC和GaN市场的外延生长设备可以被标记为SiC外延。碳化硅外延对于生产电动汽车、可再生强度结构和工业项目中使用的高效功率器件至关重要，与传统的硅基解决方案相比，碳化硅外延可提供卓越的导热性、更好的击穿电压和功率效率。

• GaN外延：SiC和GaN市场的外延生长设备可分为GaN外延。 GaN 外延对于高频和高功率项目非常重要，其中包括 5G 基础设施、射频器件和 LED，可在紧凑、省电的设计中提供卓越的电子迁移率、高击穿电压和效率。

由其他人（如果有的话）

市场动态

市场动态包括驱动因素和限制因素、机遇和挑战，说明市场状况。

驱动因素

"外延生长技术的技术进步推动市场进步"

外延生长技术的不断创新，特别是化学气相沉积（CVD）和金属有机化学气相沉积（MOCVD），是SiC和GaN外延生长设备市场增长的主要驱动因素。这些改进允许制造极其良好的、无序松散的外延层，这对于提高能源电子、射频器件和 LED 的整体性能至关重要。系统的改进，包括计算机化系统操作和人工智能集成，确保了更高的精度和更低的成本，进一步推动了碳化硅和氮化镓材料在众多行业的采用。

"对节能电子和功率器件的需求不断增长以扩大市场"

国际社会对可持续发展和能源效率的日益认可是另一个关键驱动因素。 SiC 和 GaN 半导体在能源产品中提供优于传统硅的性能，从而减少电力消耗并改善热控制。电动机、可再生电力和 5G 基础设施中的应用需要这些物质，因为它们能够处理更好的电压和频率。随着制造商试图满足这些愿望，这种日益增长的需求正在推动外延臂设备市场的发展。

制约因素

"设备和材料的高成本对市场增长构成潜在障碍"

SiC和GaN外延生长设备市场的一大限制因素是设备和材料的高成本。 SiC 和 GaN 半导体制造采用化学气相沉积 (CVD) 和金属有机化学气相沉积 (MOCVD)，需要对先进豪华设备进行大量资本投资。此外，原材料成本（包括高纯碳化硅和氮化镓）非常高，其中心也提高了制造成本。这限制了这些材料的承受能力，特别是对于中小型公司而言。另一项任务是外延生长涉及的技术复杂性，这需要对温度、应变和化学成分进行特定的控制以获得显着的层。缩放制造和保持外延层内的一致性的问题提供了制造要求较高的情况。这些因素，再加上对熟练技术的需求和更长的制造周期，导致采用率下降，并阻碍了碳化硅和氮化镓基器件更广泛的市场繁荣。

机会

"电动汽车 (EV)、可再生电力系统和 5G 基础设施为市场产品创造机会"

SiC 和 GaN 外延生长设备市场的一个关键机遇在于对电动汽车 (EV)、可再生电力系统和 5G 基础设施不断增长的需求。随着全球对可持续强度答案的推动不断加强，SiC 和 GaN 半导体因其卓越的效率、高击穿电压和导热性而受到认可，对于这些行业的电力电子器件变得至关重要。这为外延生长器件制造商提供了相当大的增长能力。此外，半导体生产技术的改进为扩展更高效、更具成本效益的外延生长策略提供了机会，这可以进一步提高 SiC 和 GaN 材料的可扩展性和可承受性。自动化的兴起和人工智能半导体制造中的驱动方法管理预计将提高精度和产量，降低生产成本。考虑到针对新兴项目量身定制的定制解决方案的改进，半导体制造商和系统供应商之间的合作也是一个机会。随着这些行业的不断扩大，对高性能 SiC 和 GaN 器件的需求将为外延热器件供应商创造长期增长潜力。

挑战

"高制造成本可能对消费者构成潜在挑战"

SiC 和 GaN 外延生长设备市场的一个主要挑战是与生产高质量外延层相关的高制造成本。这些物质所需的高级设备（包括化学气相沉积 (CVD) 和金属有机化学气相沉积 (MOCVD)）的运行和保存成本昂贵。这种过高的费用可能会成为小团体进入的障碍，并阻碍 SiC 和 GaN 技术的广泛采用。另一个项目是开发极好的外延层的技术复杂性。实现均匀性并最大限度地减少层内缺陷对于确保设备的整体性能和可靠性至关重要。这需要明显的管理环境和特定的系统管理，这增加了生产的复杂性。此外，高纯度原材料以及碳化硅和氮化镓的供应有限，给交付链带来了挑战。这种生料的稀缺会带来延误和更高的布料成本，影响整体市场的增长。

• • 

    下载免费样本了解更多关于本报告的信息

•  

用于 SIC 和 GaN 市场区域洞察的外延生长设备

北美（美国强制）

由于北美在半导体创新和生产方面的强劲表现，预计将在美国 SiC 和 GaN 外延生长设备市场中发挥主导作用。该地区对电动汽车、可再生能源和 5G 基础设施的认识正在利用对高整体性能 SiC 和 GaN 器件的需求。主要的半导体业务以及对研究和开发的大量投资也加强了北美的管理。美国在碳化硅和氮化镓技术的改进和部署方面处于领先地位，当局对半导体制造和清洁能源解决方案创新的援助不断增加。

欧洲

受其对可再生电力、电动汽车 (EV) 和汽车行业强烈意识的推动，欧洲有望在 SiC 和 GaN 外延生长设备市场份额中发挥巨大作用。随着欧洲绿色协议等主要任务和对可持续电力技术的投资，对节能半导体（特别是碳化硅和氮化镓）的需求正在增长。欧洲拥有领先的半导体生产商和研究机构，其重点是推进能源电子和通讯系统的材料生产。此外，欧洲正在强调半导体制造的本地化，以减少对外部供应商的依赖，从而促进外延生长设备的增长机会。该地区对清洁电力和电动汽车的监管援助同样促进了碳化硅和氮化镓器件在关键领域的采用，使欧洲成为市场扩张的重要参与者。

亚洲

由于其强大的半导体制造能力、技术进步以及对绿色电力器件日益增长的需求，亚洲将在 SiC 和 GaN 外延生长设备市场中发挥主导作用。日本、韩国、中国和台湾等国家在半导体生产和研发方面处于领先地位，其中最重要的群体集中在电动汽车、可再生电力和5G网络等高性能应用领域，所有这些都需要SiC和GaN材料。亚洲的进取优势还得到了旨在提高半导体自给自足的大量政府投资和举措的支持，特别是在先进材料需求不断增长的背景下。该地区强大的价值生产、专业人员和原材料运输链使其成为 SiC 和 GaN 外延增长的关键中心。因此，预计亚洲将在外延生长器件的改进和部署方面保持相当大的市场份额。

主要行业参与者

"通过创新和全球战略改变市场格局的主要参与者"

SiC 和 GaN 外延生长设备市场的主要参与者在推进技术和推动市场增长方面发挥着重要作用。 Aixtron、Veeco Instruments 和 Tokyo Electron 等领先企业认识到种植和生产先进的外延臂系统（包括 CVD 和 MOCVD），以提供出色的 SiC 和 GaN 材料。他们将资金投入研发，以提高设备性能、可扩展性和精度，为汽车、电信和可再生能源等行业提供帮助。这些玩家还与半导体生产商合作，为精确封装定制解决方案，确保 SiC 和 GaN 技术满足对节能设备日益增长的需求。

市场参与者名单

• NuFlare 科技公司（日本）
• 东京电子有限公司（日本）
• NAURA（日本）

工业发展

2024 年 2 月：Veeco 在美国开设了一家新的先进制造工厂，以增加其 MOCVD 系统的产量。此次扩建旨在满足对 SiC 和 GaN 半导体不断增长的需求，特别是电动汽车、5G 基础设施和可再生能源技术中的应用。新工厂旨在增强 Veeco 提供高质量设备的能力，并支持客户快速扩大其 SiC 和 GaN 生产能力。

报告范围

本报告基于历史分析和预测计算，旨在帮助读者多角度全面了解全球SiC和GaN外延生长设备市场，也为读者的策略和决策提供充分的支持。此外，本研究还对 SWOT 进行了全面分析，并为市场的未来发展提供了见解。它通过发现动态类别和潜在创新领域（其应用可能会影响未来几年的发展轨迹）来研究有助于市场增长的各种因素。该分析考虑了近期趋势和历史转折点，提供对市场竞争对手的全面了解并确定有能力增长的领域。本研究报告使用定量和定性方法研究市场细分，提供全面的分析，还评估战略和财务观点对市场的影响。此外，该报告的区域评估考虑了影响市场增长的主导供需力量。竞争格局非常详细，包括重要市场竞争对手的份额。该报告纳入了针对预期时间框架量身定制的非常规研究技术、方法和关键策略。总体而言，它以专业且易于理解的方式提供了对市场动态的有价值且全面的见解。