SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の市場規模、シェア、成長、業界分析、タイプ別（CVD、MOCVD、その他）、アプリケーション別（SiCエピタキシー、GaNエピタキシー）および2035年までの地域予測

SICおよびGA用エピタキシャル成長装置市場レポートの概要

SiCおよびGaN用の世界のエピタキシャル成長装置市場規模は、2026年に11億4,213万米ドルと推定され、2035年までに1億4億702万米ドルに達すると予測されており、2026年から2035年にかけて7.2%のCAGRで成長します。

SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置市場は、パワーエレクトロニクス、電気自動車、再生可能電力、5G技術の需要の高まりを受けて急成長を遂げています。 SiC および GaN 物質は、標準的なシリコンと比較して高度な効率、熱伝導率、スイッチング速度を提供するため、高性能アプリケーションに最適です。この市場は、化学蒸着 (CVD) と分子線エピタキシー (MBE) からなる堆積技術の進歩によって促進されています。ウェーハの品質、スループット、拡張性の向上に関する主要企業の評価。半導体生産への投資の増加と平滑電力に対する政府の支援も同様に、市場のブーム軌道を推進します。

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主な調査結果

• 市場規模と成長:SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の市場規模は2024年に9億9,386万ドルで、2025年までに10億5,371万ドルに成長し、2033年までに12億2,436万ドルを超え、CAGRは7.2%になると予測されています。

• 主要な市場推進力:電気自動車の世界販売台数が 2023 年に 1,400 万台を超えて急増する中、SiC ベースのパワー デバイスの需要が爆発的に増加し、製造施設はエピタキシー ツールの購入を前年比 28% 以上増加させています。

• 主要な市場抑制:エピタキシーシステムの高い資本コストが依然としてボトルネックとなっています。高度な SiC ツールは 1 台あたり 300 万ドルを超える場合があり、小規模なファブやファウンドリでの採用が制限されています。

• 新しいトレンド:垂直型 GaN エピタキシーが注目を集めており、コンパクトなフォーマットでのより高い電力密度を目標として、2023 年だけでも世界中で 30 以上のパイロット ラインが発表されました。

• 地域のリーダーシップ:アジア太平洋地域が引き続きリードしており、2023 年には世界のツール設置台数の 62% 以上が主に次世代半導体工場に対する台湾、韓国、中国の国家投資計画によって推進されています。

• 競争環境:現在この分野を支配している企業は 15 社未満で、Aixtron、Veeco、および東京エレクトロンが世界中の商用 SiC/GaN エピタキシャル ツールのほぼ 75% を供給しています。

• 市場セグメンテーション:SiCセグメントはより大きなシェアを占めており、特に鉄道輸送や産業用インバータなどの高電圧アプリケーションにおいて、2023年の機器需要全体の58%以上を占めています。

• 最近の開発:2023 年後半、Aixtron は、ガス使用量を 20% 削減しながらウェハのスループットを 2 倍にすることができる新しい G10-SiC プラットフォームを発表しました。このプラットフォームは、すでに一流のファウンドリによって評価されています。

新型コロナウイルス感染症の影響

"ロシア・ウクライナ戦争中の世界的なサプライチェーンの混乱と原材料コストの高騰により、SiCおよびGaN市場向けのエピタキシャル成長装置に悪影響が生じた"

ロシア・ウクライナ戦争は、世界的なサプライチェーンの混乱と原材料コストの高騰により、SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置市場に悪影響を及ぼしました。半導体製造に不可欠なネオン燃料などの主要物質は地域から密接に調達されており、不足や料金の高騰につながっている。貿易制限と地政学的緊張により、国境を越えた技術移転や投資が妨げられています。この不安定性により、特に SiC や GaN テクノロジーの重要な消費者となる可能性がある電力や自動車などの分野で、インフラストラクチャのタスクが遅れています。さらに、欧州市場内の不確実性により需要が減退し、優れた半導体ソリューションの採用が遅れ、市場の増加に影響を及ぼしています。

最新のトレンド

"エッジ コンピューティングの統合を活用して市場の成長を推進"

SiC および GaN 用エピタキシャル成長装置市場は、電気自動車 (EV)、再生可能エネルギー システム、5G インフラストラクチャにおけるエネルギー効率の高い半導体の需要により、変革の傾向が見られます。重要な傾向は、製造パフォーマンスを向上させ、経費を削減するために、200 mm 基板とともに大きなウェーハ サイズに近づくことです。高度な化学蒸着 (CVD) 戦略は、均一性と欠陥の低減のために最適化されており、より高品質のエピタキシャル層を確保しています。自動化と人工知能 (AI) は、特定のメソッド制御と歩留まり向上のためのデバイスに統合されています。メーカーは電力消費と廃棄物を削減するためのグリーン手順を強化しており、持続可能性が注目を集めています。イノベーションを加速するために、デバイスキャリアと半導体ファウンドリとの連携が拡大しています。さらに、特に北米とアジアにおける現地生産への多額の投資は、地政学的な課題に対処し、チェーンの混乱をもたらし、今後数年間で市場が力強い成長を遂げる態勢を整えています。

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SICおよびGA市場セグメンテーションのためのエピタキシャル成長装置

タイプ別

種類に基づいて、市場はCVD、MOCVD、その他に分類できます。

• CVD: SiCおよびGaN市場向けのエピタキシャル成長装置は、化学気相成長(CVD)システムに分類される場合があります。 CVD は、強力なエレクトロニクス、電動車両、5G インフラストラクチャで構成される高度な半導体アプリケーションに不可欠な超均一なエピタキシャル層を供給できる可能性があるため、広く使用されています。

• MOCVD: SiC および GaN 市場向けのエピタキシャル成長装置は、有機金属化学気相成長 (MOCVD) 構造に分類できます。 MOCVD は、オプトエレクトロニクス、電気デバイス、および高周波通信における総合性能の高いアプリケーションに不可欠な、高精度のエピタキシャル層を製造するための好まれる技術です。

用途別

アプリケーションに基づいて、市場はSiCエピタキシー、GaNエピタキシーに分類できます。

• SiC エピタキシー: SiC および GaN 市場向けのエピタキシャル成長装置は、SiC エピタキシーと呼ばれる場合があります。 SiC エピタキシーは、電動自動車、再生可能強度構造、産業プログラムに利用される高効率パワー デバイスの製造に不可欠であり、従来のシリコンを主ベースとしたソリューションと比較して、優れた熱伝導率、より優れた降伏電圧、および電力効率を実現します。

• GaNエピタキシー：SiCおよびGaN市場向けのエピタキシャル成長装置はGaNエピタキシーに分類できます。 GaN エピタキシーは、5G インフラストラクチャ、RF デバイス、LED などの高周波および高出力プログラムにとって重要であり、コンパクトで省電力な設計で優れた電子移動度、高い降伏電圧、効率を実現します。

他者による (存在する場合)

市場ダイナミクス

市場のダイナミクスには、市場の状況を示す推進要因と抑制要因、機会、課題が含まれます。

推進要因

"市場の進歩を牽引するエピタキシャル成長技術の技術進歩"

エピタキシャル成長技術、特に化学気相成長法 (CVD) と有機金属化学気相成長法 (MOCVD) の継続的な革新は、SiC および GaN 用エピタキシャル成長装置市場の成長の主要な原動力です。これらの改善により、エネルギーエレクトロニクス、RF デバイス、LED の全体的な性能を向上させるために重要な、非常に優れた無秩序なエピタキシャル層の製造が可能になります。コンピュータによるシステム操作や AI 統合を含むシステムの改善により、精度の向上とコストの削減が保証され、多くの業界での SiC および GaN 材料の採用がさらに促進されます。

"市場拡大に向けたエネルギー効率の高いエレクトロニクスおよびパワーデバイスへの需要の拡大"

持続可能性とエネルギー効率に対する国際的な認識の高まりも、もう 1 つの重要な推進要因です。 SiC および GaN 半導体は、エネルギー機器において従来のシリコンより優れた性能を提供し、電力摂取量の削減と熱制御の向上を可能にします。電気モーター、再生可能電力、5G インフラストラクチャーでの用途には、より優れた電圧と周波数を処理できる能力があるため、これらの物質が必要です。この需要の高まりにより、メーカーがこれらの要望を満たそうとする中、エピタキシャル ブーム装置の市場が推進されています。

抑制要因

"機器と材料の高コストが市場の成長に潜在的な障害をもたらす"

SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置市場における大きな制約要因は、装置と材料の高コストです。 SiC および GaN 半導体の製造では、化学気相成長法 (CVD) と有機金属化学気相成長法 (MOCVD) が利用されており、先進的で豪華な設備への大規模な設備投資が必要です。さらに、原材料の使用料（高純度の炭化ケイ素や窒化ガリウムを含む）が非常に高額であり、その中心が製造コストを押し上げています。これにより、特に中小企業にとって、これらの材料の手頃な価格が制限されます。もう 1 つの課題は、エピタキシャル増加に伴う技術的な複雑さであり、注目すべき層を得るには温度、歪み、化学組成を具体的に管理する必要があります。製造の規模を拡大し、エピタキシャル層内の一貫性を維持する際の問題により、製造上の厳しい状況が生じます。これらの要因が、熟練した努力とより長い製造サイクルの必要性と相まって、採用率の低下に寄与し、SiC および GaN ベースのデバイスの広範な市場ブームを妨げています。

機会

"電気自動車（EV）、再生可能電力システム、5G インフラストラクチャが市場での製品の機会を創出"

SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置市場における重要な機会は、電気自動車（EV）、再生可能電力システム、5Gインフラに対する需要の高まりの中にあります。持続可能な強度への答えを求める世界的な動きが強まる中、優れた効率、高い降伏電圧、熱伝導率が認められる SiC および GaN 半導体は、これらの業界のパワーエレクトロニクスにとって重要なものになってきています。これは、エピタキシャル増加ガジェットの製造業者にとって、かなりの増加能力をもたらします。さらに、半導体製造技術の向上により、より効率的でコスト効率の高いエピタキシャル成長戦略を拡大する機会が生まれ、これにより、SiC および GaN 材料の拡張性と手頃な価格がさらに向上します。自動化の台頭とAI半導体製造における - 主導のメソッド管理により、精度と歩留まりが向上し、生産コストが削減されることが期待されています。新たなプログラムに合わせたカスタム ソリューションの改善を念頭に置いて、半導体メーカーとシステム ベンダー間のコラボレーションも機会となります。これらの分野が拡大し続けるにつれて、高性能 SiC および GaN ガジェットに対する需要がエピタキシャル ブーム デバイス プロバイダーに長期的な成長の可能性を生み出します。

チャレンジ

"高い製造コストは消費者にとって潜在的な課題となる可能性がある"

SiC および GaN のエピタキシャル成長装置市場における主な課題は、高品質のエピタキシャル層の製造に伴う製造コストの高さです。これらの物質に必要な化学気相成長法 (CVD) や有機金属化学気相成長法 (MOCVD) からなる優れた装置は、機能し維持するのに高価です。この過剰な料金は、小規模なグループにとってアクセスの障壁となり、SiC および GaN テクノロジーの大幅な導入を妨げる可能性があります。もう 1 つのプロジェクトは、非常に優れたエピタキシャル層を開発する技術的な複雑さです。ガジェットの全体的なパフォーマンスと信頼性を確保するには、層内の均一性を達成し、欠陥を最小限に抑えることが重要です。これには、顕著に管理された環境と特定のシステム管理が必要となり、制作の複雑さが増大します。さらに、炭化ケイ素や窒化ガリウムとともに、高純度の原材料の入手が制限されているため、デリバリーチェーンの課題が生じています。この未調理材料の不足は遅延と生地コストの上昇をもたらし、市場全体の上昇に影響を与える可能性があります。

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SICおよびGA市場の地域洞察のためのエピタキシャル成長装置

北米 (米国必須)

北米は、半導体の革新と生産における確固たる存在感により、米国のSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置市場で支配的な役割を果たすと予想されています。近隣地域では電気自動車、再生可能エネルギー、5G インフラストラクチャに対する意識が高まっており、総合性能の高い SiC および GaN デバイスの需要が高まっています。大手半導体事業は、研究開発への多額の投資とともに、北米の経営を強化しています。米国は、半導体製造とクリーン エネルギー ソリューションのイノベーションに対する当局の援助の拡大により、SiC および GaN 技術の改善と展開をリードしています。

ヨーロッパ

欧州は、再生可能電力、電気自動車（EV）、自動車企業に対する強い認識に牽引され、SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置の市場シェア内で巨大な役割を果たす態勢が整っている。欧州グリーンディールや持続可能な電力技術への投資などの主要な課題により、電力効率の高い半導体、特にSiCとGaNの需要が高まっています。ヨーロッパは、エネルギーエレクトロニクスやコミュニケシステム向けの材料生成の進歩に重点を置いている可能性のある、主要な半導体生産者および研究機関にとって国内的な国です。さらに、欧州は外部サプライヤーへの依存を減らすために半導体製造の現地化を重視しており、エピタキシャル成長装置の成長機会を促進している。この地域のクリーン電力と電動モビリティに対する規制支援も同様に、主要分野での SiC および GaN ガジェットの採用を促進し、欧州を市場の拡大における重要な参加者として位置づけています。

アジア

アジアは、その堅固な半導体製造能力、技術の進歩、パワーグリーンデバイスへの需要の高まりにより、SiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置市場で支配的な役割を果たすことになるでしょう。日本、韓国、中国、台湾などの国々は半導体の生産と研究開発のリーダーであり、そのほとんどの重要なグループは電気自動車、再生可能電力、5Gネットワ​​ークなどの高性能アプリケーションを中心としており、これらのすべてにSiCやGaN材料が必要です。アジアの積極的な優位性は、特に先端材料の需要開発という文脈において、半導体自給率向上に向けた多額の政府投資や取り組みによっても支えられています。この地域の価値ある生産、専門人材、未調理物質用の取り付けられた配送チェーンにより、この地域は SiC および GaN エピタキシー増加の重要な拠点となっています。その結果、アジアはエピタキシャル増加デバイスの改善と展開においてかなりの市場シェアを維持すると予測されています。

主要な業界関係者

"イノベーションとグローバル戦略を通じて市場の状況を変革する主要企業"

SiCおよびGaN市場向けエピタキシャル成長装置市場内の主要企業は、技術の進歩と市場の成長の推進において重要な役割を果たしています。 Aixtron、Veeco Instruments、東京エレクトロンなどの大手企業は、優れた SiC および GaN 物質を提供するための CVD や MOCVD などの高度なエピタキシャル ブーム システムの成長と生産について認識しています。彼らは、デバイスのパフォーマンス、拡張性、精度を向上させるための研究開発に資金を投入し、自動車、通信、再生可能エネルギーなどの業界を支援しています。さらに、これらのゲーマーは半導体メーカーと協力して、正確なパッケージに対する答えを調整し、SiC および GaN テクノロジーがエネルギー効率の高いデバイスに対する高まる要求に確実に応えられるようにしています。

プロファイルされた市場参加者のリスト

• ニューフレアテクノロジー株式会社（日本）
• 東京エレクトロン株式会社（日本）
• ナウラ (日本)

産業の発展

2024 年 2 月: Veeco は、MOCVD システムの生産を増やすために、米国に新しい先進的な製造施設を開設しました。この拡大は、特に電気自動車、5Gインフラ、再生可能エネルギー技術の用途におけるSiCおよびGaN半導体の需要の高まりに応えることを目的としている。この新しい施設は、Veeco の高品質装置の提供能力を強化し、顧客の SiC および GaN の生産能力の迅速な拡張をサポートするように設計されています。

レポートの範囲

このレポートは、読者が世界のSiCおよびGaN用エピタキシャル成長装置市場を多角的に包括的に理解するのに役立つことを目的とした歴史分析と予測計算に基づいており、読者の戦略と意思決定にも十分なサポートを提供します。また、この調査は SWOT の包括的な分析で構成されており、市場内の将来の発展についての洞察を提供します。それは、今後数年間の市場の軌道に影響を与える可能性のあるイノベーションの動的なカテゴリーと潜在的な分野を発見することにより、市場の成長に貢献するさまざまな要因を調査します。この分析には、最近の傾向と歴史的な転換点の両方が考慮されており、市場の競合他社を総合的に理解し、成長可能な分野を特定します。この調査レポートは、定量的および定性的方法の両方を使用して市場の細分化を調査し、市場に対する戦略的および財務的観点の影響も評価する徹底的な分析を提供します。さらに、レポートの地域評価では、市場の成長に影響を与える支配的な需要と供給の力が考慮されています。主要な市場競合他社のシェアなど、競争環境が細心の注意を払って詳細に説明されています。このレポートには、予想される期間に合わせて調整された型破りな研究手法、方法論、主要な戦略が組み込まれています。全体として、市場のダイナミクスに関する貴重かつ包括的な洞察を専門的にわかりやすく提供します。