SiC 및 GaN용 에피택시 성장 장비 시장 규모, 점유율, 성장 및 산업 분석, 유형별(CVD, MOCVD, 기타), 애플리케이션별(SiC 에피택시, GaN 에피택시) 및 2035년 지역 예측

SIC 및 GAN 시장 보고서 개요를 위한 에피택셜 성장 장비

전 세계 SiC 및 GaN용 에피택셜 성장 장비 시장 규모는 2026년 1억 4,213만 달러로 추정되며, 2026년부터 2035년까지 연평균 성장률(CAGR) 7.2%로 성장하여 2035년까지 1억 4,702만 달러에 이를 것으로 예상됩니다.

SiC 및 GaN 시장용 에피택셜 성장 장비는 전력 전자, 전기 자동차, 재생 가능 전력 및 5G 기술에 대한 수요 증가에 힘입어 빠른 성장을 보이고 있습니다. SiC 및 GaN 물질은 표준 실리콘에 비해 향상된 효율성, 열 전도성 및 스위칭 속도를 제공하므로 고성능 애플리케이션에 가장 적합합니다. 시장은 화학기상증착(CVD)과 분자빔 에피택시(MBE)로 구성된 증착 기술의 발전에 힘입어 성장하고 있습니다. 웨이퍼 품질, 처리량 및 확장성 개선에 대한 주요 플레이어의 인식. 반도체 생산에 대한 투자 증가와 원활한 전력 공급을 위한 정부 지원도 마찬가지로 시장의 호황 궤적을 촉진합니다.

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주요 결과

• 시장 규모 및 성장:SiC 및 GaN용 에피택시 성장 장비 시장 규모는 2024년 9억 9,386만 달러였으며, 2025년에는 1억 5,371만 달러로 성장하고, 2033년에는 1억 2,436만 달러를 초과할 것으로 예상됩니다(CAGR 7.2%).

• 주요 시장 동인:2023년 전기 자동차의 전 세계 판매량이 1,400만 대를 넘어 급증하면서 SiC 기반 전력 장치에 대한 수요가 폭발적으로 증가하여 제조 시설이 늘어나 에피택시 도구 구매가 전년 대비 28% 이상 증가했습니다.

• 주요 시장 제한:에피택시 시스템의 높은 자본 비용은 여전히 ​​병목 현상으로 남아 있습니다. 고급 SiC 도구는 단위당 300만 달러를 초과할 수 있으므로 소규모 제조 시설 및 파운드리에서는 채택이 제한됩니다.

• 새로운 트렌드:수직 GaN 에피택시는 주목을 받고 있습니다. 2023년에만 전 세계적으로 30개 이상의 파일럿 라인이 발표되어 컴팩트한 형식의 더 높은 전력 밀도를 목표로 합니다.

• 지역 리더십:아시아 태평양 지역은 2023년 전 세계 도구 설치의 62% 이상을 차지하며 계속해서 선두를 달리고 있습니다. 이는 주로 대만, 한국, 중국의 차세대 반도체 공장에 대한 국가 투자 계획에 의해 주도됩니다.

• 경쟁 환경:현재 Aixtron, Veeco 및 Tokyo Electron이 전 세계 모든 상업용 SiC/GaN 에피택셜 도구의 거의 75%를 공급하는 등 15개 미만의 회사가 이 분야를 장악하고 있습니다.

• 시장 세분화:SiC 부문은 특히 철도 운송 및 산업용 인버터와 같은 고전압 애플리케이션에서 2023년 전체 장비 수요의 58% 이상을 차지하여 더 큰 점유율을 차지합니다.

• 최근 개발:2023년 말, Aixtron은 웨이퍼 처리량을 두 배로 늘리는 동시에 가스 사용량을 20% 줄일 수 있는 새로운 G10-SiC 플랫폼을 공개했습니다. 이 플랫폼은 이미 일류 파운드리에서 평가를 받고 있습니다.

코로나19 영향

"SiC 및 GaN 시장용 에피택시 성장 장비는 러시아-우크라이나 전쟁 중 글로벌 공급망 붕괴 및 원자재 비용 상승으로 인해 부정적인 영향을 미쳤습니다."

러시아-우크라이나 전쟁은 글로벌 공급망을 방해하고 원자재 비용을 상승시켜 SiC 및 GaN 시장용 에피택시 성장 장비에 부정적인 영향을 미쳤습니다. 반도체 제조에 필수적인 네온 연료와 같은 핵심 물질은 이 지역에서 밀접하게 공급되므로 부족과 비용 급증이 발생합니다. 무역 제한과 지정학적 긴장으로 인해 국경을 넘는 기술 이전과 투자가 방해를 받았습니다. 불안정성으로 인해 특히 SiC 및 GaN 기술의 필수 소비자가 될 수 있는 전력 및 자동차와 같은 분야의 인프라 작업이 지연되었습니다. 또한 유럽 시장 내부의 불확실성으로 인해 수요가 위축되고 우수한 반도체 솔루션의 채택이 느려져 시장 성장에 영향을 미치고 있습니다.

최신 트렌드

"엣지 컴퓨팅 통합을 활용하여 시장 성장 촉진"

SiC 및 GaN 시장용 에피택셜 성장 장비는 전기 자동차(EV), 재생 에너지 시스템 및 5G 인프라의 에너지 효율적인 반도체에 대한 수요로 인해 변화하는 경향을 목격하고 있습니다. 주요 추세는 제조 성능을 향상하고 비용을 줄이기 위해 200mm 기판과 함께 대형 웨이퍼 크기로 전환하는 것입니다. 고급 화학 기상 증착(CVD) 전략은 균일성과 결함 감소를 위해 최적화되어 더 높은 일급 에피택셜 레이어를 보장합니다. 특정 방법 제어 및 수율 향상을 위해 자동화 및 인공 지능(AI)이 장치에 통합되고 있습니다. 제조업체가 전력 소비와 폐기물을 줄이기 위해 친환경 절차를 늘리면서 지속 가능성이 주목을 받고 있습니다. 혁신을 가속화하기 위해 장치 캐리어와 반도체 파운드리 간의 협력이 확대되고 있습니다. 또한 특히 북미와 아시아 지역의 현지 생산에 대한 막대한 투자를 통해 지정학적 문제를 해결하고 체인 중단을 초래하여 향후 몇 년 내에 시장이 강력한 성장을 이룰 수 있는 위치를 마련하고 있습니다.

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SIC 및 GAN 시장 세분화를 위한 에피택셜 성장 장비

유형별

유형에 따라 시장은 CVD, MOCVD, 기타로 분류될 수 있습니다.

• CVD: SiC 및 GaN 시장을 위한 에피택시 성장 장비는 CVD(화학 기상 증착) 시스템으로 분류될 수 있습니다. CVD는 강력한 전자 장치, 전기 자동차 및 5G 인프라로 구성된 고급 반도체 응용 분야에 중요한 슈퍼 균일한 에피택셜 층을 공급할 수 있는 잠재력으로 인해 널리 사용됩니다.

• MOCVD: SiC 및 GaN 시장을 위한 에피택셜 성장 장비는 MOCVD(금속-유기 화학 기상 증착) 구조로 분류될 수 있습니다. MOCVD는 광전자 공학, 전기 장치 및 고주파 통신 분야의 전반적으로 높은 성능을 발휘하는 응용 분야에 필수적인 고정밀 에피택셜 층을 생산하는 데 선호되는 기술입니다.

애플리케이션별

애플리케이션에 따라 시장은 SiC 에피택시, GaN 에피택시로 분류될 수 있습니다.

• SiC 에피택시: SiC 및 GaN 시장을 위한 에피택시 성장 장비는 SiC 에피택시로 분류될 수 있습니다. SiC 에피택시는 전동 자동차, 신재생 강도 구조물 및 산업 프로그램에 사용되는 고효율 전력 장치 장치를 생산하는 데 중요하며, 기존의 실리콘 기반 솔루션에 비해 우수한 열 전도성, 더 나은 항복 전압 및 전력 효율성을 제공합니다.

• GaN 에피택시: SiC 및 GaN 시장을 위한 에피택시 성장 장비는 GaN 에피택시로 분류될 수 있습니다. GaN 에피택시는 5G 인프라, RF 장치 및 LED를 포함하는 고주파수 및 고전력 프로그램에 중요하며, 소형 전기 절약형 설계에서 탁월한 전자 이동성, 높은 항복 전압 및 효율성을 제공합니다.

기타(있는 경우)

시장 역학

시장 역학에는 시장 상황을 나타내는 추진 및 제한 요인, 기회 및 과제가 포함됩니다.

추진 요인

"시장 발전을 주도하는 에피택시 성장 기술의 기술적 발전"

에피택시 성장 기술, 특히 CVD(화학 기상 증착) 및 MOCVD(금속-유기 화학 기상 증착)의 지속적인 혁신은 SiC 및 GaN 시장 성장을 위한 에피택시 성장 장비의 주요 원동력입니다. 이러한 개선을 통해 에너지 전자 장치, RF 장치 및 LED의 전반적인 성능을 향상시키는 데 중요한 매우 우수하고 무질서가 없는 에피택셜 층을 제조할 수 있습니다. 컴퓨터화된 시스템 조작 및 AI 통합을 포함한 시스템 개선은 더 높은 정밀도와 비용 절감을 보장하여 다양한 산업에서 SiC 및 GaN 재료의 채택을 더욱 촉진합니다.

"시장 확대를 위한 에너지 효율적인 전자 장치 및 전력 장치에 대한 수요 증가"

지속 가능성과 에너지 효율성에 대한 국제적 인식이 높아지는 것도 또 다른 주요 추진 요인입니다. SiC 및 GaN 반도체는 에너지 장치에서 기존 실리콘보다 뛰어난 성능을 제공하여 전력 소비를 줄이고 열 제어를 향상시킵니다. 전기 모터, 재생 가능 전기 및 5G 인프라의 응용 분야에는 더 나은 전압과 주파수를 처리할 수 있는 기능으로 인해 이러한 물질이 필요합니다. 제조업체가 이러한 요구 사항을 충족하려고 노력함에 따라 이러한 수요 증가는 에피택시 붐 장비 시장을 촉진하고 있습니다.

억제 요인

"장비 및 재료의 높은 비용은 시장 성장에 잠재적인 장애가 됩니다."

SiC 및 GaN용 에피택시 성장 장비 시장의 큰 제한 요소는 장비 및 재료의 높은 비용입니다. SiC 및 GaN 반도체 제조에서는 첨단 고급 장비에 막대한 자본 투자가 필요한 화학 기상 증착(CVD) 및 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD)을 활용합니다. 또한, 원료 비용(고순도 탄화규소 및 질화갈륨 포함)이 유난히 높을 뿐만 아니라 제조 비용도 높아집니다. 이는 특히 중소기업의 경우 해당 재료의 경제성을 제한합니다. 또 다른 과제는 에피택셜 증가와 관련된 기술적 복잡성이며, 이는 주목할 만한 층을 얻기 위해 온도, 변형 및 화학 조성에 대한 구체적인 관리가 필요하다는 것입니다. 제조 규모를 확장하고 에피택셜 층 내에서 일관성을 유지하는 문제는 제조 요구 상황에 발생합니다. 숙련된 노력과 긴 제조 주기의 필요성과 결합된 이러한 요소는 SiC 및 GaN 기반 장치의 채택 속도를 늦추고 더 넓은 시장 호황을 방해합니다.

기회

"시장에서 제품에 대한 기회를 창출하기 위한 전기 자동차(EV), 재생 가능 전기 시스템 및 5G 인프라"

SiC 및 GaN 시장을 위한 에피택셜 성장 장비의 주요 기회는 전기 자동차(EV), 재생 가능 전기 시스템 및 5G 인프라에 대한 수요 증가에 있습니다. 지속 가능한 강도에 대한 글로벌 추진이 강화됨에 따라 탁월한 효율성, 높은 항복 전압 및 열전도율로 인정받는 SiC 및 GaN 반도체는 해당 산업의 전력 전자 장치에 점점 더 중요해지고 있습니다. 이는 에피택시 증가 장치 제조업체에 상당한 증가 능력을 제공합니다. 또한, 반도체 생산 기술의 발전은 보다 효율적이고 비용 효과적인 에피택셜 성장 전략을 확장할 수 있는 기회를 제공하여 SiC 및 GaN 재료의 확장성과 경제성을 더욱 향상시킬 수 있습니다. 자동화의 등장과일체 포함반도체 제조 공정 중심의 공법 관리를 통해 정밀도와 수율을 높이고 생산 비용을 낮출 수 있을 것으로 기대됩니다. 반도체 제조업체와 시스템 공급업체 간의 협력도 기회가 되며, 신흥 프로그램에 맞춤화된 맞춤형 솔루션의 개선을 염두에 두어야 합니다. 해당 부문이 계속 확대됨에 따라 고성능 SiC 및 GaN 장치에 대한 수요는 에피택시 붐 장치 제공업체에 장기적인 성장 잠재력을 창출할 것입니다.

도전

"높은 제조 비용은 소비자에게 잠재적인 문제가 될 수 있습니다."

SiC 및 GaN용 에피택셜 성장 장비 시장의 주요 과제는 고품질 에피택셜 레이어 생산과 관련된 높은 제조 비용입니다. 이러한 물질에 필요한 화학 기상 증착(CVD) 및 금속-유기 화학 기상 증착(MOCVD)으로 구성된 우수한 장비는 기능 및 보존 비용이 많이 듭니다. 이러한 과도한 수수료는 소규모 그룹의 접근에 장벽이 될 수 있으며 SiC 및 GaN 기술의 상당한 채택을 방해할 수 있습니다. 또 다른 프로젝트는 매우 우수한 에피택셜 층을 개발하는 기술적인 복잡성입니다. 균일성을 달성하고 레이어 내부의 결함을 최소화하는 것은 장치의 전반적인 성능과 신뢰성을 보장하는 데 중요합니다. 이를 위해서는 눈에 띄게 관리되는 환경과 특정 시스템 관리가 필요하며, 이는 생산의 복잡성을 증가시킵니다. 또한 탄화규소 및 질화갈륨과 함께 순도가 높은 원료 물질의 제한된 가용성으로 인해 공급망 문제가 발생합니다. 조리되지 않은 재료의 부족으로 인해 지연이 발생하고 옷감 비용이 높아져 전체 시장 증가에 영향을 미칠 수 있습니다.

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SIC 및 GAN 시장 지역 통찰력을 위한 에피택셜 성장 장비

북미(미국 필수)

북미는 반도체 혁신 및 생산에서의 강력한 입지로 인해 미국 SiC 및 GaN 시장용 에피택셜 성장 장비에서 지배적인 역할을 할 것으로 예상됩니다. 전기 자동차, 재생 가능 전력 및 5G 인프라에 대한 인근 지역의 인식은 전반적으로 높은 성능의 SiC 및 GaN 장치에 대한 수요를 활용하고 있습니다. 주요 반도체 사업은 연구 개발에 대한 상당한 투자와 함께 북미 지역의 경영을 강화합니다. 미국은 반도체 제조 및 청정 에너지 솔루션 혁신에 대한 당국의 지원이 늘어나면서 SiC 및 GaN 기술의 개선 및 배포를 주도하고 있습니다.

유럽

유럽은 재생 가능 전기, 전기 자동차(EV) 및 자동차 기업에 대한 확고한 인식을 바탕으로 SiC 및 GaN 시장 점유율을 위한 에피택셜 성장 장비 내에서 거대한 역할을 수행할 준비가 되어 있습니다. European Green Deal과 같은 주요 과제와 지속 가능한 전력 기술에 대한 투자로 인해 전력 효율적인 반도체, 특히 SiC 및 GaN에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 유럽은 선도적인 반도체 생산업체와 연구 기관이 있는 곳으로, 에너지 전자 제품과 통신 시스템을 위한 첨단 소재 생성에 중점을 두고 있습니다. 또한 유럽은 외부 공급업체에 대한 의존도를 줄이고 에피택셜 성장 장비의 성장 기회를 육성하기 위해 반도체 제조의 현지화를 강조하고 있습니다. 청정 전기 및 전기 구동 이동성에 대한 이 지역의 규제 지원은 마찬가지로 주요 부문에서 SiC 및 GaN 장치의 채택을 강화하여 유럽을 시장 확대의 중요한 참여자로 자리매김합니다.

아시아

아시아는 강력한 반도체 제조 능력, 기술 발전, 전력 친환경 장치에 대한 요구 증가로 인해 SiC 및 GaN 시장용 에피택시 성장 장비에서 지배적인 역할을 할 것으로 예상됩니다. 일본, 한국, 중국, 대만과 같은 국가는 반도체 생산 및 R&D 분야의 선두주자이며, 가장 중요한 그룹은 SiC 및 GaN 재료가 필요한 전기 자동차, 재생 가능 전기, 5G 네트워크와 같은 고성능 애플리케이션에 중점을 두고 있습니다. 아시아의 공격적인 우위는 특히 첨단 소재에 대한 수요 개발이라는 맥락에서 반도체 자급자족을 촉진하기 위한 대규모 정부 투자와 계획을 통해 뒷받침됩니다. 이 지역의 강력한 가치 생산, 전문 인력, 가공되지 않은 물질을 위한 장착된 배송 체인은 SiC 및 GaN 에피택시 증가를 위한 핵심 허브가 됩니다. 결과적으로 아시아는 에피택셜 증가 장치의 개선 및 배포 내에서 상당한 시장 비율을 유지할 것으로 예상됩니다.

주요 산업 플레이어

"혁신과 글로벌 전략을 통해 시장 환경을 변화시키는 주요 업체"

SiC 및 GaN용 에피택시 성장 장비 시장의 주요 업체는 기술을 발전시키고 시장 성장을 주도하는 데 중요한 역할을 합니다. Aixtron, Veeco Instruments, Tokyo Electron과 같은 선도적인 기업은 뛰어난 SiC 및 GaN 물질을 제공하기 위해 CVD 및 MOCVD를 포함한 고급 에피택셜 붐 시스템을 성장 및 생산하는 것에 대해 인식하고 있습니다. 그들은 장치 성능, 확장성 및 정밀도를 미화하기 위해 R&D에 돈을 투자하여 자동차, 통신, 재생 에너지와 같은 산업을 돕습니다. 이러한 게이머들은 또한 반도체 생산업체와 협력하여 정확한 패키지에 대한 답변을 맞춤화함으로써 SiC 및 GaN 기술이 에너지 효율적인 장치에 대한 증가하는 요구를 충족할 수 있도록 보장합니다.

프로파일링된 시장 참가자 목록

• NuFlare Technology Inc.(일본)
• Tokyo Electron Limited(일본)
• 나우라(일본)

산업 발전

2024년 2월: Veeco는 MOCVD 시스템 생산량을 늘리기 위해 미국에 새로운 첨단 제조 시설을 개설했습니다. 이번 확장은 특히 전기 자동차, 5G 인프라 및 재생 에너지 기술 분야의 SiC 및 GaN 반도체에 대한 수요 증가를 충족하는 것을 목표로 합니다. 새로운 시설은 고품질 장비를 제공하고 고객이 SiC 및 GaN 생산 역량을 빠르게 확장할 수 있도록 지원하는 Veeco의 역량을 강화하도록 설계되었습니다.

보고서 범위

이 보고서는 독자가 SiC 및 GaN 시장을 위한 글로벌 에피택셜 성장 장비 시장을 여러 각도에서 포괄적으로 이해할 수 있도록 돕는 것을 목표로 하는 과거 분석 및 예측 계산을 기반으로 하며, 독자의 전략 및 의사 결정에 충분한 지원을 제공합니다. 또한 이 연구는 SWOT에 대한 포괄적인 분석으로 구성되며 시장 내 향후 개발에 대한 통찰력을 제공합니다. 향후 몇 년 동안 응용 프로그램이 궤적에 영향을 미칠 수 있는 동적 범주와 잠재적인 혁신 영역을 발견하여 시장 성장에 기여하는 다양한 요소를 조사합니다. 이 분석은 최근 추세와 역사적 전환점을 모두 고려하여 시장 경쟁사에 대한 전체적인 이해를 제공하고 성장 가능한 영역을 식별합니다. 이 연구 보고서는 양적 및 질적 방법을 모두 사용하여 시장 세분화를 조사하여 시장에 대한 전략적 및 재무적 관점의 영향을 평가하는 철저한 분석을 제공합니다. 또한 보고서의 지역 평가에서는 시장 성장에 영향을 미치는 지배적인 공급 및 수요 요인을 고려합니다. 주요 시장 경쟁업체의 점유율을 포함하여 경쟁 환경이 꼼꼼하게 자세히 설명되어 있습니다. 이 보고서에는 예상되는 기간에 맞춰진 독특한 연구 기법, 방법론 및 핵심 전략이 포함되어 있습니다. 전반적으로 이는 전문적이고 이해하기 쉽게 시장 역학에 대한 귀중하고 포괄적인 통찰력을 제공합니다.